#Memory-Types

嵌入式系统中的存储器分为以下三种主要类型:

SRAM(静态随机存取存储器)

  • 特点

    • 易失性:断电丢失数据。

    • 速度快:直接与 CPU 核心耦合。

    • 容量小:通常几十 KB 到几 MB。

  • 用途

    • 运行时临时存储,包括任务堆栈、变量和动态分配的内存。


Flash(闪存)

  • 特点

    • 非易失性:掉电不丢失数据。

    • 访问速度较慢:程序代码通常从 Flash 加载到 SRAM 中运行。

    • 写入寿命有限:擦写次数通常为 10 万次到 100 万次。

  • 用途

    • 存储程序代码和常量数据。

    • 固件升级包、配置文件等。


外部存储(External Storage)

  • 特点

    • 容量大:可达几 MB 到几百 GB。

    • 访问速度慢:通过总线访问,延迟较高。

    • 灵活性高:可动态更新或扩展存储内容。

  • 用途

    • 存储大文件(如日志、用户数据)。

    • 扩展程序存储或作为补充内存池。


#ESP32-S3-Memory-Specs

以下是 ESP32-S3 的三种存储器规格:

存储器类型

容量范围

备注

SRAM

512 KB(内置)+ 8 MB(PSRAM,可选)

内置 SRAM 用于运行时数据存储,PSRAM 是扩展选项,适合大内存需求。

Flash

4 MB / 8 MB / 16 MB(内置)

用于存储程序代码和常量数据,支持最大 16 MB。

外部存储

PSRAM:8 MB;Flash:16 MB

PSRAM 扩展运行时内存,外部 Flash 扩展存储容量。


#Program-Burn

烧写程序的目标位置

  • 内部 Flash:程序代码通常烧写到 MCU 内部的非易失性存储器(如 Flash)。

  • 外部存储:如果内部 Flash 容量不足,可以烧写到外部存储器(如 SPI Flash)。

程序启动过程

  1. 上电复位:MCU 从 Flash 的固定地址加载程序代码。

  2. 加载到 SRAM:部分代码和数据加载到 SRAM 中运行。

  3. 执行程序:CPU 从 SRAM 中读取指令并执行。


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